Наукові дослідження і технічні розробки
по фізиці. Новини, факти, люди,
інтерв'ю. Теорія і практика.
Каталог статі. Каталог посилань. Форум.
Науково-технічні розробки.
Документація, бібліотека.
Палата мір і терезів. Работа
для фізиків. Гумор, сатира, лірика.
Инженеры из сингапурского Агентства по науке, технологии и исследованиям и Университета Карнеги — Меллона (США) сконструировали переключатели на основе фазового перехода
Интересовавший учёных переход характерен для так называемых халькогенидных материалов, способных при нагреве электрическим током «переключаться» между двумя состояниями — кристаллическим и аморфным. Первое обладает низким сопротивлением, второе — высоким. На базе этих материалов можно построить энергонезависимую память, один из вариантов которой мы обсуждали два месяца назад. Известны и образцы такого рода переключателей, но у них есть существенный недостаток — не слишком высокое отношение сопротивлений, измеренных в состояниях «включено» и «выключено».
Решить эту проблему помогли эксперименты со сплавом германия и теллура. Варьируя параметры изготовления образцов, авторы сумели получить тонкую плёнку, для которой сопротивление в аморфном состоянии более чем в 10 миллионов раз превосходило «кристаллическое» сопротивление. У готовых переключателей с медными электродами отношение снизилось до 1,6 млн, но даже эта величина на порядки превосходит показатели разработанных ранее аналогичных устройств. Отметим, что в состоянии «включено» сопротивление равнялось 180 Ом.
Четыре переключателя (иллюстрация авторов работы).
Сингапурские исследователи рассчитывают на то, что такие переключатели будут использоваться в электронике средств связи. Но думать о промышленном производстве пока рано: сначала необходимо выяснить, как можно избавиться от постепенного ухудшения характеристик (отношения сопротивлений) переключателя при его использовании. Причиной этого, вероятно, служит неполная рекристаллизация GeTe.
