НОВОСТИ
2011-02-23 08:14:06, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Усовершенствован один из самых популярных термоэлектрических материалов Американские учёные значительно увеличили эффективность одного из самых популярных термоэлектрических материалов, в состав которого входят теллур, сурьма, германий и серебро.
2011-02-10 23:10:05, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Двумерные листы молибденита могут делать то, на что не способны кремний и графен Если молибденит, минерал, который используется в качестве смазочного материала, нарезать пластами толщиной в один атом, то оказывается, что он обладает такими оптическими и электрическими свойствами, каких не удается добиться при более толстой, "трехмерной" форме материала.
2011-02-07 08:41:48, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Инженеры из Массачусетского технологического института и Университета штата Пенсильвания (оба — США) усовершенствовали методику получения кремниевых микропроводов Эксперименты показывают, что микропровода можно использовать при изготовлении солнечных элементов, стоимость которых снижается за счёт экономии кремния, транзисторов, микросхем, электродов. Сначала, однако, нужно наладить действительно массовый выпуск микропроводов, и именно здесь возникают проблемы: существующие способы выращивания излишне сложны и не позволяют точно контролировать размеры и расположение готовых проволок.
2011-01-31 08:33:28, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Существование полостей в полупроводниках приводит к резкому увеличению удельной площади поверхности, изменяет теплопроводность и другие физические свойства материала Область применения полупроводника значительно расширяется при создании в нём пористой структуры. Существование полостей приводит к резкому увеличению удельной площади поверхности, изменяет теплопроводность и другие физические свойства материала. Наиболее активно сегодня применяется пористый кремний (например, как изолятор в микроэлектронике), а следующий перспективный кандидат – это пористый карбид кремния. Предполагается, что он позволит создать ряд новых оптоэлектронных приборов: эффективные фотоприёмники ультрафиолетового диапазона, светоизлучающие диоды и лазеры.
2011-01-07 09:20:08, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Шведские и испанские ученые создали транзисторы, сплетенные из модифицированных волокон шелка Данное открытие служит предзнаменованием для нового поколения электронных схем, которые могут быть встроены в ткани или в биологические среды. Обычная электроника располагается на твердых основах, но многие исследователи ищут более гибкие основы. Некоторые разрабатывают методы для печати непосредственно на тканях, в то время как другие испытывают возможность создания отдельных волокон в цепи компонентов.
2010-12-26 20:24:20, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Сегодня стало известно о создании униполярного транзистора, который сокращает энергопотребление в сто раз Все печатные издания Токио только и говорят об этой разработке. Новый транзистор создали японские учёные из Института материалов университета в Токио.
2010-12-23 23:08:25, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Австралийские инженеры из Университета Нового Южного Уэльса создали экспериментальный транзистор, использующий для работы квантовые точки Созданный транзистор почти в 10 раз меньше традиционных транзисторов, применяемых в микропроцессорах. Как говорят исследователи, квантовые точки, работающие вместе в различных группах, открывают путь к созданию квантовых компьютеров. Прежде физики в разных странах уже экспериментировали с квантовыми точками для проведения простейших вычислительных операций, однако до сих пор у ученых не получалось работать с более чем двумя точками одновременно. Потенциал же квантовых компьютеров раскрывается именно тогда, когда внутри квантового процессора работают сотни или даже тысячи таких точек.
2010-12-23 12:07:37, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Исследователи из Университета штата Юта объявили о новом серьезном прорыве в области создания сверхбыстрой компьютерной памяти Исследователи из Университета штата Юта объявили о новом серьезном прорыве в области создания сверхбыстрой компьютерной памяти – они научились записывать информацию в атоме, удерживать ее там в течение 112 секунд и, более того, считывать ее оттуда электронным способом.
2010-12-13 09:55:19, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Созданы графеновые электроды, которые могут увеличить емкость суперконденсаторов более чем в пять раз Исследователи из Nanotek Instruments (США) создали графеновые электроды, которые могут увеличить емкость суперконденсаторов более чем в пять раз и сделать их пригодными для широкого коммерческого использования. Скомканные листы графена увеличили площадь поверхности электродов и позволили хранить больший заряд.
2010-12-01 08:34:56, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Сверхемкий суперконденсатор, способный запасать столько же энергии, сколько хранится в никель-металлогидридных батареях Исследователи в США создали на базе графена сверхемкий суперконденсатор, способный запасать столько же энергии, сколько хранится в никель-металлогидридных батареях. Главное преимущество предложенного устройства состоит в том, что заряжаться и разряжаться оно может за считанные секунды (минуты). Созданный конденсатор обладает наиболее высокой плотностью запасенной энергии среди всех наноуглеродных устройств, работающих по принципу двойного электрического слоя.
2010-11-29 00:38:00, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Благодаря систематическому исследованию фазовых переходов в диоксиде ванадия разрешился вопрос, мучавший ученых многие десятилетия Благодаря систематическому исследованию фазовых переходов в диоксиде ванадия разрешился вопрос, мучавший ученых многие десятилетия, сообщают исследователи Окриджской национальной лаборатории Министерства энергетики США.
2010-11-19 23:09:04, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Качественные полевые транзисторы на основе составного полупроводника, арсенида индия InAs, размещённого на кремниевой подложке Инженеры из США и Тайваня сконструировали качественные полевые транзисторы на основе составного полупроводника, арсенида индия InAs, размещённого на кремниевой подложке. Предложенная методика позволяет получить высокую подвижность носителей заряда, характерную для полупроводников группы III-V, с применением малозатратной и прекрасно отработанной кремниевой технологии производства. Помимо арсенида индия, в группу III-V (цифры здесь обозначают положение компонентов полупроводника в периодической системе) входят, к примеру, нитрид алюминия, арсенид галлия и фосфид индия.
2010-11-01 18:54:36, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Опытный образец необычного диода, способного работать с высокой скоростью, построен в университете Орегона (OSU) Диод типа металл-изолятор-металл (metal-insulator-metal – MIM) использует квантово-механический эффект: туннелирование электронов сквозь очень тонкий слой диэлектрика.
2010-10-20 08:26:47, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Физики смоделировали и разработали новые классы сплавов, которые могут заменить золото в различных электронных устройствах Исследователи из Университета штата Коннектикут совместно с корпорацией United Technologies смоделировали и разработали новые классы сплавов, которые могут заменить золото в различных электронных устройствах.
2010-10-19 08:46:20, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Простое наложение друг на друга множества слоев серебряных наночастиц может существенно увеличить производительность органических транзисторов Новаторское исследование ученых из Гонконгского политехнического университета демонстрирует, что простое наложение друг на друга множества слоев серебряных наночастиц может существенно увеличить производительность органических транзисторов. Это может привести к падению стоимости устройств с сенсорными экранами – электронных книг и других гаджетов, имеющих запоминающие модули.
2010-08-31 21:16:55, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Световая революция стала ещё ближе Корпорация Nichia сообщила о разработке экспериментальных светодиодов, которые благодаря нескольким усовершенствованиям в конструкции и материалах сделали большой шаг вперёд в повышении КПД источников света.
2010-08-23 12:27:39, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Крошечный конденсатор с набором выдающихся свойств удалось построить группе учёных из США и Франции, используя элементы нанотехнологии На единицу своего объёма новичок обладает мощностью, сравнимой с электролитическими конденсаторами, запасом энергии на порядок большим, а электрической ёмкостью — большей на четыре порядка. А ещё при разряде напряжение на электродах устройства способно падать со скоростью 200 вольт в секунду, что в тысячу раз быстрее, чем у обычных суперконденсаторов.
2010-06-25 12:07:12, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Российские физики из ФИАНа нашли способ продления срока жизни органических светодиодов Российские физики из ФИАНа нашли способ продления срока жизни органических светодиодов. С этой целью ученые предлагают примешивать к органической основе OLED-a долгоживущие нанокристаллы на основе халькогенидов кадмия. Эти неорганические люминесцентные точки не только избавят от работы быстро устающие органические хромофоры, но и значительно упростят технологию производства светодиода с нужным спектром излучения.
2010-05-25 08:03:40, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Ученые создали транзистор, состоящий из семи атомов Статья с описанием использованного специалистами метода опубликована в журнале Nature Nanotechnology. Коротко о работе пишет портал BBC News. Транзистором называют электронное устройство, управляющее током в цепи за счет изменения напряжения или тока входного сигнала. Транзисторы используются во многих электронных устройствах, в частности в компьютерных чипах. Чем больше транзисторов расположено на одном чипе, тем он мощнее.
2010-05-17 16:00:40, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Разработана эмпирическая модель одного из необычных эффектов, проявляющихя в ми кромире - эффекта Казимира Как сообщает пресс-служба Массачусетского технологического института, иследовательскй группе под руководством Алехандро Родригез (Alejandro Rodriguez) удалось разработать имитационную модель действия эффекта Казимира, позволяющую производить расчёт силы Казимира для произвольного количества объектов произвольной формы.
2010-05-12 13:32:46, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Хранящие данные микросхемы смогут вести вычисления, не обращаясь к центральному процессору Как выяснили исследователи из лаборатории HP Labs, резистор с памятью, так называемый «мемристор» может выполнять логические операции. Это означает, что хранящие данные микросхемы могут вести вычисления, не обращаясь к центральному процессору. Это открытие означает возможность дальнейшего уменьшения размеров вычислительных устройств при повышении их эффективности.
2010-04-07 00:46:07, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Ученые из университета Южной Флориды смоделировали аномалию, которая позволит графену заменить кремний в качестве основного сырья для производства электронных устройств Предыдущие попытки оказались неэффективными, так как только часть полученных молекул графена обладали нужной дефектной структурой.
2008-05-01 14:41:33, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Мемзистор - HP создала новую технологию памяти, описанную 37 лет назад В исследовательских лабораториях компании Hewlett-Packard создан новый элемент электронных схем, который прежде существовал лишь в теории. Разработчикам удалось создать "мемзистор" (от англ memory - память и resistor - резистор). Новое микроскопическое устройство, по словам HP, способно в корне изменить устройства и методы хранения электронных данных.
2008-04-22 02:19:22, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Прототип одноэлектронного транзистора на основе графена Группа ученых из университета в Манчестере (А.Гейм, К.Новоселов, Л.Пономаренко и др.) опубликовала на прошлой неделе в журнале Science статью с описанием эксперимента, в котором доказана принципиальная возможность создания одноэлектронного транзистора размерами около 10 нм. Подобный одноэлектронный транзистор является единичным элементом будущих графеновых микросхем.
2008-03-03 11:12:56, обсуждение: 0 НОВОСТИ ФИЗИКИ | ЭЛЕКТРОНИКА Ученые из IBM в сотрудничестве с Регенсбургским университетом впервые измерили силу, необходимую для передвижения отдельных атомов на твердой поверхности Исследователи измерили как численное значение, так и направление силы, требующейся для передвижения атома или молекулы. Для этого они использовали новый микроскоп, имеющий возможности как атомно-силовых, так и сканирующих туннельных микроскопов. Изгибающаяся при взаимодействии с образцом часть зонда микроскопа была выполнена из кварца.
1 2 3 4
