Сайт переехал physreal.com

Однако, несмотря на широкое возможное применение, проблема синтеза высококачественных, с низким содержанием дефектов, тонких кристаллических пленок SiC до сих пор остается неразрешенной. Казалось бы, молекулярно-лучевая эпитаксия вполне может стать приемлемым способом получения нанокристаллов карбида кремния, однако высокие температуры (~ 1200 K), при которых протекают процессы синтеза, отрицательно сказываются на качестве конечных образцов. Поэтому авторы [1] поставили перед собой цель существенно снизить рабочие температуры вплоть до комнатных, что им, в итоге, и удалось сделать. Здесь необходимо отметить, что существует более сотни различных кристаллических форм карбида кремния. В своей работе исследователи остановились на β-модификации или на структуре 3C-SiC, которая обладает наиболее привлекательными электронными свойствами. Авторы успешно провели эпитаксию 3C-SiC на кремниевую подложку с помощью сверхзвукового пучка фуллеренов C₆₀, которые использовались в качестве прекурсоров углерода и активировали химические процессы на поверхности кремния. Кинетическая энергия бакиболов в процессе эксперимента достигала 30–35 эВ. Разрушение молекул фуллерена и формирование карбидов, а также непосредственное присутствие образцов 3C-SiC контролировалось рядом экспериментальных методик, таких как рентгеновская и УФ фотоэлектронная спектроскопии, атомно-силовая и просвечивающая микроскопии. Кроме того, исследователи выполнили детальное молекулярно-динамическое моделирование процессов синтеза карбидокремниевых структур, подтверждающее полученные ранее результаты. В перспективе предложенная авторами методика могла бы помочь синтезировать SiC на подложках, которые не в состоянии выдерживать высокие температуры, в том числе различные пластмассы или полимеры, используемые, например, в биомедицине.

М.Маслов

1.  R.Verucchi et al., J. Am. Chem. Soc. 134, 17400 (2012).