Научные исследования и технические разработки
по физике. Новости, факты, люди, интервью. Теория и практика.
Каталог статей. Каталог ссылок. Форум. Научно-технические разработки.
Документация, библиотека.
Палата мер и весов. Работа
для физиков. Юмор, сатира, лирика.
Высокотемпературная сверхпроводимость купратных ВТСП возникает при добавлении носителей заряда в родительские антиферромагнитные диэлектрики. Электронная природа промежуточного состояния, разделяющего диэлектрическую и сверхпроводящую фазы, пока не вполне ясна.
В работе [1] (США, Германия, Греция, Сингапур) для исследования перехода диэлектрик-сверхпроводник в La2-xSrxCuO4 было измерено низкотемпературное (T > 0.3 К) магнитосопротивление диэлектрических (0.03 < x < 0.06) и сверхпроводящих (0.065 < x < 0.08) пленок этого купрата. Анализ экспериментальных данных показал, что при x < 0.05 дырки в слоях CuO2 образуют зарядовое стекло, а при x > 0.05 сначала появляются локализованные куперовские пары (бозе-стекло) и лишь затем происходит делокализация этих пар и формирование сверхпроводящего состояния (см. рис.). Таким образом, при низком уровне допирования зарядовая и сверхпроводящая неустойчивости конкурируют друг с другом.
Фазовая диаграмма La2-xSrxCuO4 в координатах T-H-x.