|
|
|
| Контакты | Главная | Стартовая | Избранное | Поиск |
|
2013-07-20 10:30:08, обсуждение: 0 В последнее время повышенное внимание уделяется гетероструктурам из атомарно тонких пленок, таким как hBN/графен/WS2. В работе [1] (Великобритания, Сингапур, Португалия, Корея, Россия) с участием Гейма и Новоселова показано, что особенности Ван Хова в плотности электронных состояний слоёв ДХПМ приводят к резкому усилению поглощения света, сопровождающемуся образованием электронов и дырок, которые собираются на прозрачных графеновых электродах. Это позволяет изготовить гибкие фотогальванические устройства (см. рис.) с фоточувствительностью более 0.1 А/Вт, что соответствует квантовой эффективности выше 30%.
После осаждения на поверхность гетероструктуры наночастиц Au интенсивность фотогенерации электрон-дырочных пар возрастает на порядок. Это объясняется тем, что наночастицы играют роль “концентраторов” электромагнитной энергии. 1. L.Britnell et al., Science 340, 1311 (2013).
• БАК остро нуждается в детекторах для фиксирования элементарных частиц |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||