Сайт переехал physreal.com

При уменьшении концентрации носителей ниже оптимального для сверхпроводимости уровня псевдощель увеличивается, а температура ее появления T_gap значительно превышает температуру сверхпроводящего перехода T_с. Так как ВТСП имеют слоистую структуру (квазидвумерность), то представляет интерес изучить псевдощелевые эффекты в других 2D сверхпроводниках. В работе [1] (Германия, США, Швейцария) представлены результаты исследования туннельных спектров сверхпроводящей границы раздела диэлектриков LaAlO₃ и SrTiO₃ (рис. 1).

Рис. 1. Поперечное сечение туннельного контакта
Au-LaAlO₃-SrTiO₃ (сканирующая просвечивающая электронная микроскопия).

В LaAlO₃/SrTiO₃ носителями заряда являются электроны (в купратах – дырки), а T_c максимальна при концентрации носителей на порядок меньше, чем в купратах. Несмотря на такие различия, фазовые диаграммы LaAlO₃/SrTiO₃ и купратов оказались очень похожими, включая поведение псевдощели при допировании (рис. 2).

Рис. 2. Фазовые диаграммы границы LaAlO₃/SrTiO₃ и купратных ВТСП.
Концентрация носителей – в расчете на 2D элементарную ячейку

 

Поскольку недопированная 2D электронная жидкость на границе LaAlO₃/SrTiO₃ не является моттовским или антиферромагнитным диэлектриком, то сходство с купратами заставляет усомниться в причастности этих диэлектрических состояний к купратной псевдощели.

1. C.Richter et al., Nature 502, 528 (2013).