Научные исследования и технические разработки
по физике. Новости, факты, люди, интервью. Теория и практика.
Каталог статей. Каталог ссылок. Форум. Научно-технические разработки.
Документация, библиотека.
Палата мер и весов. Работа
для физиков. Юмор, сатира, лирика.
BaBiO3: от сверхпроводника к топологическому диэлектрику
Известно, что при дырочном допировании диэлектрика BaBiO3 (например, при частичном замещении Ba/K или Bi/Pb) в нем возникает сверхпроводимость с достаточно высокой критической температурой Tc -> 30 К. Расчеты из первых принципов показали [1], что при электронном допировании (например, при частичном замещении O/F) внутри запрещенной зоны должны образовываться топологические поверхностные состояния (TSS), которые представляют интерес для квантовой информатики и спинтроники. Если же из BaBiO3 изготовить p-n переход (см. рис.), то эффект близости может индуцировать в TSS сверхпроводящую щель.
Схематическое изображение планарного контакта
между топологическим диэлектриком (вверху) и сверхпроводником (внизу).