Научные исследования и технические разработки
по физике. Новости, факты, люди, интервью. Теория и практика.
Каталог статей. Каталог ссылок. Форум. Научно-технические разработки.
Документация, библиотека.
Палата мер и весов. Работа
для физиков. Юмор, сатира, лирика.
Общепризнано, что в материалах с сильными электронными корреляциями электрон-фононное взаимодействие является одним из основных факторов, влияющих на конкуренцию между различными типами коллективных неустойчивостей, в том числе между сверхпроводимостью и волной зарядовой плотности (ВЗП). Не исключено, что именно это взаимодействие ответственно и за спаривание носителей заряда в ВТСП, хотя окончательной ясности здесь пока нет.
В этой связи представляют интерес результаты работы [1] (Германия, Франция, Италия), авторы которой использовали метод нерезонансного неупругого рассеяния рентгеновских лучей с высоким разрешением по энергии и по импульсу для исследования температурной зависимости фононного спектра монокристаллов YBa2Cu3O6.6 (купраты с таким содержанием кислорода являются недодопированными, а их критическая температура Tc = 61 К близка к температуре формирования ВЗП). Было обнаружено, что при сверхпроводящем переходе имеет место довольно существенное изменение частот низкоэнергетических фононов, но не во всей области спектра, а лишь в узкой окрестности вектора ВЗП-упорядочения. Из этого в [1] делается вывод, что хотя электрон-фононное взаимодействие в купратах сильнее, чем предсказывает теория функционала плотности, и может быть причиной наличия “кинков” в дисперсии фермиевских квазичастиц, но недостаточно сильное для спаривания носителей. Наблюдавшиеся фононные аномалии связаны скорее с ВЗП, и они отсутствуют в оптимально допированных кристаллах YBa2Cu3O7 с Tc = 90 К.
Л.Опенов
1. M. Le Tacon et al., Nature Phys. 10, 52 (2014).