science
Знания, не рождённые опытом, бесплодны и полны ошибок.
Леонардо да Винчи



Copyleft © 2004 - 2017
physics.com.ua

Электронный web-журнал Physics.com.ua

Научные исследования и технические разработки по физике. Новости, факты, люди, интервью. Теория и практика. Каталог статей. Каталог ссылок. Форум. Научно-технические разработки. Документация, библиотека.
Палата мер и весов. Работа
для физиков. Юмор, сатира, лирика.

Контакты Главная | Стартовая | Избранное | Поиск
 

Потеря пароля | Регистрация

   
Физики из Национального института стандартов и технологий (США) добились одновременной квантовой запутанности сразу 219 ионов бериллия (9Be+)
Высадка космонавтов на Луну будет осуществлена, в лучшем случае, в 2033–2034 годах
Гранты для обучения в аспирантуре по естественным наукам в Германии (программа SALSA)
Видео. Поиск редких процессов на коллайдерах
Пьезо-оптомеханический преобразователь связывает звук, свет и радио
Программу Наноконструктор проекта nanoModel можно скачать бесплатно
VII Международная школа-конференция молодых ученых и специалистов - Современные проблемы физики 2016
Ученые получили температуру ниже абсолютного нуля
С 10-го по 21-е сентября администрация уходит в отпуск

  Новости  
  Новости физики  
  Науку делают люди  
  Гранты, олимпиады, конкурсы и стипендии  
  Знаете ли Вы что...  
  Приборы, научно-технические разработки  
  Программные продукты  
  Конференции, семинары, школы и форумы  
  Физики шутят  
  Новости нашего журнала  
  Экспорт данных в формате RSS  
  Материалы  
  Каталог научных статей  
  Банк рефератов  
  Блог  
  PACS  
  Исторический календарь  
  Нобелевские лауреаты  
  Голосования и опросы  
  Информационные партнёры  
  Полезные ссылки  
  Палата мер и весов  
  Технические требования к предоставляемой информации  
rss2email
Новости электронного web-журнала Physics.com.ua




Рассылки Subscribe.Ru
Лента "Новости электронного web-журнала Physics.com.ua"
  Голосования и опросы  
 

Глобальное потепление - это...

результат неконтролируемого загрязнения атмосферы
результат естественного изменения климата
кто-то его незаметил
средство наживы для экологических организаций



Всего голосов: 1591
Комментариев: 3

 
  Статистика  
 
Яндекс цитирования Rambler's Top100

 
  Реклама  
 

 
 
НОВОСТИ




Экспорт новостей в формате RSS по выбранным категориям

2010-07-02 10:42:57, обсуждение: 0
НОВОСТИ ФИЗИКИ | НАНОТЕХНОЛОГИИ

Ученые IBM изготовили миниатюрную электронную схему, используя кремниевые нанопроводники, толщиной 3 нанометра

Экспериментальная электронная схема, изготовленная с применением кремниевых нанопроводников, толщиной 3 нанометра, может стать первой электронной схемой нового поколения, заявили исследователи компании IBM, разработавшие и изготовившие эту схему. Анонс новой технологии, разработанной учеными из Исследовательского центра IBM Томаса Дж. Уотсона, был сделан на ежегодном симпозиуме по Технологиям VLSI, в Гонолулу. Согласно предоставленной информации, изготовленная электронная схема представляет собой кольцевой тактовый генератор, построенный на базе полевых транзисторов (Field-Effect Transistors, FET), соединенных кремниевыми нанопроводниками толщиной в 3 нанометра.

В общей сложности схема состоит из 25 инверторов, составленных из транзисторов, имеющих как прямую, так и обратную проводимость.
dailytechinfo-4bd02816158c.jpg

По динамическим характеристикам схема показала высокое быстродействие, задержка распространения сигнала в пределах одного инвертора составляла всего 10 пикосекунд. Это было достигнуто за счет того, что при разработке схемы были использованы полевые транзисторы оригинальной конфигурации, имеющие меньшую длину проводящего канала, чем у традиционных транзисторов. Такое сокращение длины канала, помимо улучшения динамических и электрических характеристик транзисторов, будет играть значительную роль когда дело коснется вопроса еще большей миниатюризации кремниевых полупроводниковых схем.

Поскольку длина канала становится меньшей, то для устойчивой работы таких транзисторов требуется меньшая толщина диэлектрического слоя, разделяющего затвор и проводящий канал. Но меньшая толщина диэлектрика влечет за собой увеличение величины токов утечек, которые могут достигнуть значения, при котором транзистор, один раз включившись, уже не сможет больше выключиться, т.е. практически будет неработоспособен. Поэтому ученые использовали достаточно оригинальное решение. Толщина диэлектрического слоя была оставлена на прежнем уровне, но была значительно увеличена площадь затвора, электрод которого был буквально обернут вокруг цилиндрической структуры проводящего канала.

Еще одной проблемой, которую удалось решить ученым, используя полевые транзисторы нового типа, была проблема того, что при использовании обычных технологических процессов изготовления полупроводников, при приближении к пределу 20–22 нанометров, становится тяжело соблюсти точную концентрацию добавок к кремнию, которые влияют на электрические характеристики транзисторов. Таким образом получаются транзисторы с различным напряжением отпирания, к примеру, и, как следствие, с различными динамическими характеристиками. В транзисторах нового типа за счет дополнительной площади управляющего электрода необходимость в добавках к кремнию совершенно отпадает, так же как отпадает и вышеуказанная проблема.

В дополнение ко всем вышеуказанным преимуществам новых полевых транзисторов можно добавить еще то, что изготовление электронных схем по новой технологии может производиться на оборудовании для производства обычных полупроводниковых схем CMOS (complementary metal-oxide semiconductor).

На прошлогоднем симпозиуме VLSI, команда ученых компании Samsung Electronics уже демонстрировала подобные полевые транзисторы с затвором, обернутым вокруг канала. Но транзисторы компании Samsung были простыми одиночными транзисторами и в качестве электродов использовали кремниевые нанопровдники, толщиной в 13 нанометров. Таким образом, ученым IBM удалось не только уменьшить габариты транзисторов и улучшить их характеристики, но и разработать технологию, которая позволяет изготавливать на основе новых транзисторов сложные электронные схемы. Согласно заявлению IBM, микросхемы на основе новых транзисторов и изготовленные по новой технологии могут появиться через несколько лет.

Источник(и):

Dailytechinfo.org


nanonewsnet.ru



Физики из Национального института стандартов и технологий (США) добились одновременной квантовой запутанности сразу 219 ионов бериллия (9Be+)
Новый метод получения пучка спин-поляризованны позитронов
Физикам из Германии и Италии при помощи сжатого вакуума удалось обойти стандартный квантовый предел
Ядерные часы
Создан одноатомный магнит
Открыта планета, которая имеет массу в восемь раз больше, чем масса Юпитера
Получилось измерить временную разницу испускания электронов с 2s- и 2p-орбиталей атома неона в явлении фотоэффекта
Российские физики из ФИАНа нашли способ продления срока жизни органических светодиодов
Ученые Австалии и Новой Зеландии смогли создать устройство для хранения информации при помощи луча света
Ученые разработали дешевый катализатор на основе железа, который позволяет получать водород из муравьиной кислоты в результате облучения солнечным светом

Комментарии могут оставлять только зарегистрированные пользователи!





Контакты Главная | Поиск


Администрация журнала не несет ответственности за достоверность информации, опубликованной в рекламных объявлениях. При полном или частичном использовании материалов ссылка на physics.com.ua обязательна.
Главный редактор - к.ф.-м.н., н.с. ДонФТИ им. А.А. Галкина НАН Украины, Рассолов С.Г.
Администратор и модератор сайта - Дегтярчук С.В.
Copyleft © Physics.com.ua 2004 - 2017
Хостинг - Брущенко А.
Development programilla.com