В эксперименте немецких ученых использовался щелевой кристаллизатор. Поверхность аморфного кремния (a-Si) покрывали тонкой пленкой алюминия. Влияние металлов на снижение температуры кристаллизации было известно и ранее, но алюминий с этой точки зрения исследовался впервые. Алюминий, по сути, позволяет снизить энергию, необходимую для активизации процесса кристаллизации.

Кристаллизация начинается на поверхности зерен алюминия при достижении некоторой критической толщины алюминиевой пленки. Ученым удалось выяснить, что для снижения температуры кристаллизации до 200^oC нужно иметь пленку толщиной около 20 нм, при меньшей толщине температура возрастает.

Толщина пленки косвенным образом определяет соотношение поверхностной энергии и энергии кристаллической решетки. Поначалу на границах зерен алюминия формируется не слишком упорядоченный кристалл кремния, однако затем в ходе кристаллизации структура становится всё более совершенной и упорядоченной, поскольку этот процесс происходит с понижением свободной энергии (термодинамического потенциала).

Хотя исследователям удалось научиться управлять процессом кристаллизации, детали процесса пока не ясны. В частности, непонятно поведение фрагментов алюминиевой пленки в ходе кристаллизации. Известно лишь, что отдельные атомы алюминия мигрируют по кристаллу и затем собираются в нижней части кристаллического блока кремния.