Производство транзисторов из кремния является массовой технологий, так как позволяет постоянно повышать производительность. Однако по мере миниатюризации элементов микросхем начинают проявляться недостатки кремния. Миниатюризация ведет к росту тепловыделения и утечек электронов, а значит, к увеличению числа логических ошибок и энергопотребления процессоров.

Исследователи Intel предложили замену кремния для микросхем с уменьшенной элементной базой. Они создали новый транзистор из комбинированного материала на основе индий-галлия-арсенида и индий-алюминия-арсенида. Решение было представлено на выставке International Electron Devices в г. Вашингтоне.

Комбинированные полупроводники привлекательны, поскольку могут иметь высокую производительность при низком энергопотреблении. Но проблема заключается в неудовлетворительном совмещении таких материалов с кремнием, так как они имеют разную кристаллическую структуру. В результате часто возникают дефекты на их границе.

Исследователи Intel решили эту проблему, разместив на границе буферный слой толщиной чуть более 1 мкм, имеющий более высокую совместимость с кремниевой подложкой. Уникальность предложенной технологии заключается в создании буферного слоя из того же материала, который используется для транзисторов.