Научные исследования и технические разработки
по физике. Новости, факты, люди, интервью. Теория и практика.
Каталог статей. Каталог ссылок. Форум. Научно-технические разработки.
Документация, библиотека.
Палата мер и весов. Работа
для физиков. Юмор, сатира, лирика.
При обычном гетероэпитаксиальном росте пленка одного материала формируется на поверхности другого (например, GaAs на Si), то есть межфазная граница представляет собой плоскость, а сам рост происходит в перпендикулярном ей направлении (3D эпитаксия).
Возникает вопрос: возможна ли 2D эпитаксия, когда одна пленка растет не сверху, а на краю другой (“вбок”), так что граница раздела – прямая линия? Оказывается, возможна, как продемонстрировано в работе [1] (США, Эквадор) на примере графена и гексагонального нитрида бора (BN): монослой BN вырастает на крае монослоя графена, сохраняя его ориентацию (см. рис.).
Схематическое изображение кубитов в волноводе.
Так получается потому, что BN взаимодействует с графеном сильнее, чем с медной подложкой. Немаловажную роль играет также близость периодов решетки BN и графена (0.250 и 0.246 нм, соответственно). Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия показала, что 1D граница раздела графен/BN является зигзагообразной и очень резкой.