Научные исследования и технические разработки
по физике. Новости, факты, люди, интервью. Теория и практика.
Каталог статей. Каталог ссылок. Форум. Научно-технические разработки.
Документация, библиотека.
Палата мер и весов. Работа
для физиков. Юмор, сатира, лирика.
Разработка твердотельного усилителя высокой частоты мощностью 160 Вт на основе GaN для Пентагона
Компания BAE Systems в рамках контракта агентства передовых оборонных разработок США DARPA стоимостью $8 млн. приступила к разработке твердотельного усилителя высокой частоты мощностью 160 Вт на основе GaN. Перспективный усилитель, сообщает Defense Talk, позволит избавиться от использования систем аналогичного назначения на основе вакуумных приборов (ламп бегущей волны).
Предполагается, что твердотельный усилитель найдет широкое применение в системах радиоэлектронной борьбы (РЭБ), радарах и системах связи. Использование GaN полупроводников позволит значительно снизить стоимость и вес таких систем и одновременно повысить их надежность.
Согласно предварительной информации, первые образцы твердотельных усилителей мощности высокой частоты появятся к концу десятилетия.
