Сайт переехал physreal.com

В качестве затравки для синтеза полупроводниковых НП (GaAs, InP и т.д.) обычно используют наночастицы Au. В процессе роста, который происходит перпендикулярно подложке, НП "поднимает" наночастицу вверх (см. рис.). При этом диаметр НП определяется поперечными размерами наночастицы. Сотрудники Philips Research Laboratories (Эйндховен, Голландия) неожиданно (вопреки предсказаниям теории) обнаружили, что скорость роста НП GaP резко возрастает при уменьшении расстояния между наночастицами Au от 3 мкм до 0.8 мкм [1]. Сами авторы полагают, что это связано с каталитическим воздействием Au-Ga на разложение паров Ga(CH₃)₃. Такой рост НП они называют "синергетическим". Одной из его отличительных особенностей является то, что тонкий НП растет быстрее, если он соседствует с толстым НП. Синергетический режим может быть использован для выращивания НП и из других полупроводниковых материалов.

Рост нанопроводов GaP с использованием наночастиц Au в качестве затравок. При взаимодействии наночастиц с парами органических веществ, содержащих Ga, образуется сплав Au-Ga, который пересыщен галлием, что приводит к выделению кристаллического GaP на границе раздела наночастица/подложка и к росту нанопровода перпендикулярно подложке. 

1.M.T.Borgstrom et al. Nature Nanotechnol. 2, 541 (2007).