Научные исследования и технические разработки
по физике. Новости, факты, люди, интервью. Теория и практика.
Каталог статей. Каталог ссылок. Форум. Научно-технические разработки.
Документация, библиотека.
Палата мер и весов. Работа
для физиков. Юмор, сатира, лирика.
Предполагаемое практическое использование графеновых полосок нанометровой ширины в наноэлектронных устройствах основано на том, что в электронном спектре таких нанолент (в отличие от собственно графена) имеется диэлектрическая щель, которая возникает из-за размерного квантования и краевых эффектов. Теоретически предсказано, что графеновые наноленты (GNR) должны обладать большим магнетосопротивлением (MR).
Схематическое изображение процесса изготовления полевого транзистора
на основе графеновой наноленты. При травлении функцию маски выполняет
нанопровод SiO2.
В работе [1], выполненной в Univ. of California, Los Angeles (США), были изучены магнитоэлектронные свойства полевых транзисторов с полупроводниковым каналом из GNR шириной (5÷40) нм (см. рис.).
Показано, что в параллельном магнитном поле проводимость GNR существенно не изменяется, тогда как в перпендикулярном падает: MR – отрицательно и достигает 100% при H = 8 Тл и T = 1.6 К. При комнатной температуре MR меньше, но все равно превышает 50%. Величину MR можно регулировать, изменяя либо управляющее напряжение на затворе, либо напряжение между источником и стоком. Причина большого MR заключается, по-видимому, в уменьшении диэлектрической щели из-за ослабления размерных эффектов вследствие того, что в сильном магнитном поле электроны движутся по орбитам, радиус которых меньше ширины GNR. Высокую чувствительность проводимости GNR к магнитному полю предполагается использовать для создания магнитоэлектронных наноустройств нового поколения.
